力拼SK海力士 三星今年HBM产能扩增近3倍

韩媒报导，三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong 近日在加州圣荷西举行的「Memcon 2024」会议宣布，三星HBM(高带宽内存)产能可望年增2.9倍。

《韩国经济日报》报导，Hwang Sang-joong 说，在三星第三代HBM2E及第四代HBM3量产后，三星最新12层的第五代HBM3E芯片已开始送样，今年上半年将大量生产。 还有32Gb晶粒的128GB DDR5内存，亦将在今年上半年量产。

为了迎接AI浪潮，三星希望提升高效能、高容量存储器市场的地位。 根据三星公布的HMB技术蓝图，预计2026年HBM出货量比2023年高出13.8倍，2028年HBM年比2023年高出23.1倍。

SemiAnalysis 估计，SK海力士HBM市占约73%，三星以22%居次，美光约5%，排第三。