美光量产HBM3E新里程 韩媒:三星SK海力士败了
中国基金网
美国存储器芯片生产商美光科技已开始量产用于生成式人工智能和高效能运算的高带宽内存HBM3E,韩国媒体报道,美光击败主导厂商三星电子和SK 海力士,达到新的里程碑。
美光出人意料地宣布,其HBM3E芯片将整合到英伟达的顶级H200GPU中,该GPU将于2024年第2季开始发货。 此举恰逢三星宣布成功开发业界最大容量36GB的HBM3E芯片。
韩媒指出,美光是第一家大规模量产的芯片制造商,制定新的HBM标准,基于美光在内存芯片领域的市占不大,能度率先量产高带宽记忆体,这是一个意想不到的壮举。
美光科技股价周二飙升4.02%,而SK海力士股价则暴跌4.94%,收在153800韩元。