美光获英伟达H200订单 韩国竞争对手紧张
据《wccftech》引述韩媒《中央日报》报导，美光最近与英伟达的合作，「震惊」了参与HBM竞赛的其他南韩公司，包括SK海力士与三星。
南韩媒体报道称，由于美光在HBM3E工艺领先，英伟达Team Green选择他们为H200 AIGPU生产HBM3E DRAM。
美光率先2024年2月宣布量产新型超高速HBM3E内存，领先HBM竞争对手SK海力士和三星。 这家美国存储器公司宣布，将为英伟达即将推出的H200 AI GPU供应HBM3E内存芯片，该GPU将配备HBM3E内存，而其前身H100 AI GPU则配备HBM3内存。
美光将在其1b纳米DRAM芯片上制造新型HBM3E储存芯片，相较之一，据《中央日报》报导，竞争对手三星仍采用1a纳米技术，相当于14纳米技术。
以下是美光科技对其 HBM3E 制程功能的描述：
卓越性能：美光HBM3E的引脚速度超过9.2 Gb/s，可提供超过1.2 TB/s的内存带宽，为AI加速器、超级计算机和数据提供闪电般的数据访问中心。
卓越的效率：HBM3E领先行业，与竞争产品相比，功耗降低约30%。 为了支持不断增长的人工智能需求和使用，HBM3E 以最低的功耗提供最大的吞吐量，以改善重要的数据中心运营支出指标。
无缝可扩展性：HBM3E 目前拥有 24 GB 容量，允许数据中心无缝扩展其人工智能应用。 无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务，美光的解决方案都提供了必要的内存带宽。
然而，美光获得英伟达的信任并不意味着该公司将获得相对于该领域巨头SK海力士的优势。 近日刚刚有消息称，SK海力士向英伟达送出了12层HBM3E型号进行资格测试，这意味着该公司可能会被纳入Team Green即将推出的AI解决方案的供应商名单中。
此外，SK海力士已经一直是英伟达的大客户，并在HBM行业中保持着54%的整体份额，市场预计，他们仍将纳入Team Green即将推出的AI解决方案的供应商名单。
