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　　英伟达CEO黄仁勋直指，三星电子必须「重新进行设计」才能通过辉达对其高宽频内存的验证程序。

　　据报导，黄仁勋7日在拉斯维加斯消费电子展举行的记者会上表示，「三星必须重新设计，但他们可以做到、且工作速度飞快。」「韩国人非常没耐心，这是好事。 英伟达使用的第一款HBM其实是三星创造的。 他们势必能重振旗鼓。」

　　被问到英伟达新推的RTX50系列GPU为何选用美光的GDDR7绘图内存、而不是三星或SK海力士的产品时，黄仁勋回应表示，「我不太确定原因。 这大概不重要。」

　　三星的HBM持续面临品管问题，SK海力士一直是英伟达第三代高带宽记忆体HBM3的独家供应商。

　　不过，黄仁勋7日强调，三星毫无疑问能成功产出HBM。 他说，「我对此有信心，就如同我知道明天是礼拜三。」

　　据报导，三星透露，2024年「几乎不可能」向辉达供应8层与12层堆叠HBM3E，因为芯片效能无法达到英伟达要求。 不过，2025年景况看来乐观。

　　据传，三星迟迟无法取得英伟达信任、进而争取到订单，是因为对手SK海力士率先改用批量回流模制底部填充等优秀技术，把跨入门槛拉得非常高。